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STW26NM60N产品描述： 

产品种类：MOSFET

晶体管极性：N-Channel

汲极/源极击穿电压：600 V

闸/源击穿电压：+/- 25 V

漏极连续电流：20 A

STW26NM60N导通电阻：135 mOhms

配置：Single

工作温度：+ 150 C

STW26NM60N安装风格：Through Hole

封装 / 箱体：TO-247

封装：Tube

商标：STMicroelectronics

下降时间：50 ns

正向跨导 - 值：10 S

STW26NM60N工作温度：- 55 C

功率耗散：140 W

上升时间：25 ns

系列：STW26NM60N

工厂包装数量：30

典型关闭延迟时间：85 ns 

晶体管是一种半导体器件，放大器或电控开关常用。

晶体管是规范操作电脑，手机，和所有其英特尔3D晶体管技术

他现代电子电路的基本构建块。

由于其响应速度快，准确性高，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能，包括放大，开关，稳压，信号调制和振荡器。

晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域，可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。

晶体管的发展 

1）真空三极管

1939年2月,Bell实验室有一个伟大的发现,硅p_n结的诞生。1942年,普渡大学Lark_Horovitz领导的课题组中一个名叫Seymour Benzer的学生,发现锗单晶具有其它半导体所不具有的优异的整流性能。这两个发现满足了美国政府的要求,也为随后晶体管的发明打下了伏笔 。

2）点接触晶体管

1945年二战结束,Shockley等发明的点接触晶体管成为人类微电子革命的先声。为此,Shockley为Bell递交了个晶体管的申请。终还是获得了个晶体管的授权 [2]  。

3）双极型与单极型晶体管

Shockley在双极型晶体管的基础上,于1952年进一步提出了单极结型晶体管的概念,即今天所说的结型晶体管。其结构与pnp或npn双极型晶体管类似,但在p_n材料的界面存在一个耗尽层,以使栅极与源漏导电沟道之间形成一个整流接触。同时两端的半导体作为栅极。通过栅极调节源漏之间电流的大小 [2]  。

4）硅晶体管

仙童半导体由一个几人的公司成长为一个拥有12000个职工的大企业 [2]  。

5）集成电路

在1954年硅晶体管发明之后,晶体管的巨大应用前景已经越来越明显。科学家的下一个目标便是如何进一步把晶体管、导线及其它器件高效地连接起来  。