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深圳市捷立辉科技有限公司
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产品信息
STW4N150描述：
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：1500 V
闸/源击穿电压：+/- 30 V
漏极连续电流：7 Ohms
导通电阻：7 Ohms
配置：Single
STW4N150工作温度：+ 150 C
安装风格：Through Hole
封装 / 箱体：TO-247
封装：Tube
商标：STMicroelectronics
下降时间：45 ns
STW4N150正向跨导 - 值：3.5 S
工作温度：- 55 C
功率耗散：160 W
上升时间：30 ns
系列：STW4N150
工厂包装数量：30
典型关闭延迟时间：45 ns