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深圳市捷立辉科技有限公司
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询价产品信息
MT41K256M16HA-125:E描述
Package：96FBGA
出厂包装说明：9 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96
无铅：是
欧盟RoHS标准：是
状态：有效
技术：CMOS
包装形状：矩形
封装形式 ：网格阵列,超薄,精细间距
表面贴装 ：是
终端形式 ：BALL
MT41K256M16HA-125:E端子间距：0.8000 mm
终端涂层 ：锡银铜
终端位置 ：底部
功能数量 ：1
端子数：96
包MT41K256M16HA-125:E主体材料：塑料/环氧树脂
内存宽度：16
组织：256M X 16
存储密度 :4.29E9 deg
操作模式 :同步
字数:2.68E8 Words
字数代码 :256M
电源电压- （Vsup）:1.45 V
电源电压值（Vsup）:1.28 V
电源电压标称值（Vsup）:1.35 V
访问模式 :Multi BANK PAGE Burst
记忆体IC型号:DDR DRAM
Package：96FBGA
出厂包装说明：9 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96
无铅：是
欧盟RoHS标准：是
状态：有效
技术：CMOS
包装形状：矩形
封装形式 ：网格阵列,超薄,精细间距
表面贴装 ：是
终端形式 ：BALL
MT41K256M16HA-125:E端子间距：0.8000 mm
终端涂层 ：锡银铜
终端位置 ：底部
功能数量 ：1
端子数：96
包MT41K256M16HA-125:E主体材料：塑料/环氧树脂
内存宽度：16
组织：256M X 16
存储密度 :4.29E9 deg
操作模式 :同步
字数:2.68E8 Words
字数代码 :256M
电源电压- （Vsup）:1.45 V
电源电压值（Vsup）:1.28 V
电源电压标称值（Vsup）:1.35 V
访问模式 :Multi BANK PAGE Burst
记忆体IC型号:DDR DRAM