深圳市捷立辉科技有限公司

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供应SD2505API
供应SD2505API
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供应SD2505API

型号:

SD2505API

类别:

时钟ic

封装:

DIP16

D/C:

2016+

产品信息

SD2505API系列是一种具有内置晶振、NVSRAM、IIC串行接口的高精度实时时钟芯片, CPU可使用该接口通过7位 地址来寻址读写片内122字节的数据(包括时间寄存器、报警寄存器、控制寄存器、温度寄存器、电池电量寄存器、70字节的用户SRAM寄存器及8字节的ID码寄存器)。
  SD2500RAM系列芯片内置晶振及数字温度补偿,用户可以不用顾虑因外接晶振、谐振电容等所带来的元件匹配误差问题、晶振温度特性问题及可靠性问题,实现在常温及宽温范围内不需用户干预、全自动、高可靠计时功能;SD2500可保证时钟精度为±5ppm(在25℃左右),即年误差小于2.6分钟;该芯片内置性电池,电池使用寿命可在五年左右(工业级和民用级时间不同)。  
 SD2505API系列内置8字节的ID,每一颗芯片具备的身份识别码。  
 SD2505API系列芯片内置单路定时/报警中断输出,报警中断时间可长设至100年;该系列芯片可满足对实时时钟芯片的各种需要,有工业级产品可供选择,且软件和管脚与以前的SD2400RAM兼容,是在选用高精度实时时钟时的理想选择。
  
SD2500全系列性能特点:包括SD2500(A/C/D/E/F)/SD2501/SD2503//SD2505 
低功耗:典型值0.6μA(VBAT=3.0V,Ta=25℃)。   
工作电压:2.7V~5.5V(其中NVSRAM在4.5~5.5V工作),工作温度:民用级0℃~70℃,工业级-40℃~+85℃。 
标准IIC总线接口方式,速度400kHZ。
年、月、日、星期、时、分、秒的BCD码输入/输出,并可通过独立的地址访问各时间寄存器。
闰年自动调整功能(从2000年~2099年)。
可选择12/24小时制式。
5种中断均可选择从INT脚输出,并具有4个中断标志位.
内置年、月、日、星期、时、分、秒共7字节的报警数据寄存器及1字节的报警允许寄存器,共有96种组合报警方式,并有单事件报警和周期性报警两种中断输出模式,报警时间长可设至100年。
周期性频率中断输出:从4096Hz~1/16Hz……1秒共十四种方波脉冲。 
自动重置的三字节共24位的倒计时定时器,可选的4种时钟源(4096HZ、1024HZ、1秒、1分钟),定时为244us,长定时可到31年,通过计算可获得较的毫秒级定时值。
70Bytes通用SRAM寄存器可用于存储用户的一般数据。
内置16kbit~512kbit的非易失性SRAM(C/D/E/G型),其擦写次数100亿次,且没有内部写延时。
内置电池使用寿命—性民用级:3~5年, 性工业级:5~10年。
后备电池输入脚VBAT:当内部电池因寿命等原因报废时,可用外加的电池给时钟作备电。
具有可控的32768HZ方波输出脚F32K,可以位允许/禁止32K输出
内置8bit转换结果的数字温度传感器,为了节省电池电量消耗,设为VDD模式下60S间隔测温,电池模式600S间隔测温。
内置晶振和谐振电容,芯片内部通过高精度补偿方法,实现在宽温范围内高精度的计时功能,其中25℃精度<±5ppm,即时钟年误差小于2.6分钟(在25±1℃下)。 
内置电池电压检测功能,可读取当前电池电压值(三位有效数),设置高低电池报警电压值并从INT脚输出中断。
芯片依据不同的电压自动从VDD切换到VBAT或从VBAT切换到VDD。当芯片检测到主电源VDD掉到2.4V电压以下且VDD小于VBAT,芯片会转为由接在VBAT的后备电池供电;当VDD大于VBAT或VDD大于2.4V,则芯片会转为由VDD供电。(内置电源模式指示位PMF,VDD模式时PMF=0,VBAT模式时PMF=1)。
内置8字节的ID码,芯片出厂之前设定的、的身份识别码。
内置IIC总线0.5秒自动复位功能(从Start命令开始计时),该功能可以避免IIC总线挂死问题。
内置三个时钟数据写保护位, 避免对数据的误写操作,可更好地保护数据。
内置软件可控VBAT模式IIC总线通信禁止功能(BATIIC=0,VBAT模式下禁止IIC通信;BATIIC=1,VBAT模式下允许IIC通信.上电默认值BATIIC=0),从而避免在电池供电时CPU对时钟操作所消耗的电池电量,也可避免在VDD上、下电的过程中因CPU的I/O端口所输出的不受控的杂波信号对时钟芯片的误写操作,进一步提高时钟芯片的可靠性。
内置上电复位电路及上电指示位RTCF,当包括电池在内的所有电源次上电时该位置1。
内置电池电压欠压指示位BLF,当电池电压低于2.2V时BLF位置1。 
内置停振检测位OSF,当内部振荡器停止振荡时该位置1。
内置电源稳压,内部计时电压可低至2.3V。 
片管脚 ESD>2KV。
芯片在兴威帆的评估板上可通过4KV的群脉冲(EFT)干扰。
CMOS 工艺
有工业级型号,其尾缀加“I”以示区分,如“SD2505API”为SD2505AP的工业级,“P”标志为直插封装形式。 
其他同系列型号: 
SD2500A/C/D/EP 
SD2501A/C/D/EP 
SD2501F/B/C/D/ELP 
SD2500A/C/D/E
SD2500F/B/C/D/ELP 
SD2505API 
SD2503API